美國(guó)LED大廠Cree日前宣佈，旗下的材料事業(yè)已經(jīng)成功地將無(wú)微管(ZMP) 的SiC襯底尺寸做到4英吋，約合10公分的長(zhǎng)度，將有助于n-type型態(tài)的發(fā)展，也對(duì)氮化鎵（GaN）與碳化硅（SiC）產(chǎn)品長(zhǎng)期的效能表現(xiàn)有幫助。不過(guò)Cree認(rèn)為，在2008年底之前，該項(xiàng)技術(shù)還不會(huì)進(jìn)入全面商業(yè)化的階段。

Cree材料事業(yè)副總裁Cengiz Balkas強(qiáng)調(diào)，儘管這項(xiàng)新的科技打造出的高品質(zhì)材料是Cree公司策略重要的環(huán)節(jié)，但目前現(xiàn)有的4英吋SiC外延片就已經(jīng)充分滿足目前的應(yīng)用。他認(rèn)為，目前客戶對(duì)現(xiàn)有產(chǎn)品效能的需求良好，倘若他們需要無(wú)微管(ZMP)產(chǎn)品，該公司就會(huì)開(kāi)始進(jìn)行生產(chǎn)。

他表示，n-type型態(tài)的材料是以SiC為基礎(chǔ)產(chǎn)品的重要發(fā)展，預(yù)期初步應(yīng)用將會(huì)是SiC-Schottky管的應(yīng)用方面。

現(xiàn)階段SiC是GaN 芯片生長(zhǎng)時(shí)的襯底，但在生長(zhǎng)時(shí)會(huì)含有結(jié)晶的微管，而使得外延片打造出的產(chǎn)品表現(xiàn)降低，并減少可用的外延片面積。

Cree先前能夠提供3英吋的無(wú)微管(ZMP)外延片，但如果是生產(chǎn)4英吋的ZMP外延片，最終將進(jìn)入量產(chǎn)階段，使得外延片產(chǎn)出倍增。而為了維持晶體的品質(zhì)，又要把微管消除，該公司盡了很大的心力。

目前美國(guó)陸軍（US Army）與美國(guó)國(guó)防遠(yuǎn)景研究規(guī)劃局（DARPA）協(xié)助發(fā)展了ZMP，Cree與美國(guó)軍事單位的合作進(jìn)一步發(fā)展出更好的產(chǎn)品，也為下一代的SiC襯底技術(shù)奠定基礎(chǔ)。