GaN-on-silion LED開發(fā)方案得到英國支持
2007-06-11 16:05:33 [編輯:jane.hjh]
英國政府日前對基于LED的固態(tài)照明燈具的節(jié)能認(rèn)知有所提高,并向由Filtronic、Qinetiq和劍橋大學(xué)組成的團(tuán)隊(duì)簽訂了一份300萬英鎊的合約,以支持該團(tuán)隊(duì)項(xiàng)目的開發(fā),實(shí)現(xiàn)低成本LED芯片的產(chǎn)制。
Filtronic公司是一家制造手機(jī)和國防用GaAs射頻電路的公司,此次與Qinetiq和劍橋大學(xué)合作開發(fā)基于6英寸硅襯底的GaN發(fā)射器,目的在于通過研究大直徑襯底和成熟量產(chǎn)的一致性,來實(shí)現(xiàn)低成本芯片的制備。公司表示,如果該項(xiàng)目獲得成功,英國將可能首次成為量產(chǎn)LED芯片的基地。
一般而言,目前實(shí)現(xiàn)商業(yè)化的GaN LED都是在藍(lán)寶石或硅化硅(SiC)襯底上制備出來的,這兩種襯底都有一定的缺點(diǎn):藍(lán)寶石在向大尺寸芯片生產(chǎn)上有一定困難,而SiC相對比較昂貴。目前GaN-on-SiC LED的生產(chǎn)還處于開發(fā)階段,Cree也開始將其GaN-on-SiC LED的生產(chǎn)向4英寸芯片轉(zhuǎn)移,人們普遍認(rèn)為日本Shimei Semiconductor公司正在將其擁有的GaN-on-silion制備方法商業(yè)化,盡管該公司網(wǎng)站還未有任何產(chǎn)品披露。
合作團(tuán)隊(duì)表示,6英寸襯底開發(fā)GaN LED的新穎方法潛力很大,該項(xiàng)目將使固態(tài)照明路線前進(jìn)一大步,為英國進(jìn)入未來主流市場提供了一條很好的路徑。
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