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TDI開(kāi)發(fā)出新款I(lǐng)nGaN基底，預(yù)計(jì)2008年量產(chǎn)供應(yīng)給全球LED廠

2007-08-22 15:58:17 [編輯：ivan]
美國(guó)一家發(fā)展復(fù)合材料技術(shù)的公司Technology and Devices International日前表示，他們已經(jīng)發(fā)展出新的InGaN（氮化銦鎵）表層材料，能夠供應(yīng)給LED生產(chǎn)之用。

InGaN是以GaN為基礎(chǔ)的紫外光、藍(lán)光、綠光與白光LED與藍(lán)光雷射二極體（LD）等產(chǎn)品的基底材料，該公司指出透過(guò)新的技術(shù)，能夠讓以InGaN材料為基礎(chǔ)的元件獲得更佳效能。

這次新的基底組成，是以1層InGaN佈置在2英吋直徑的GaN晶版上，產(chǎn)品的主要訴求市超高亮度紫外光、藍(lán)光與綠光LED裝置，而藍(lán)光與綠光雷射二極管也能夠采用這款材料。

TDI公司預(yù)計(jì)新的InGaN基底材料將于2008年初量產(chǎn)，而這項(xiàng)新成果主要是受到美國(guó)能源部、國(guó)防部的支援協(xié)助，預(yù)計(jì)能為固態(tài)照明、LED產(chǎn)業(yè)帶來(lái)新的動(dòng)力。
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