美國化合物半導(dǎo)體襯底大廠Technology and Devices International Inc.（TDI）日前宣布，該公司推出4英吋，約100毫米的GaN磊外延片和AlN磊外延片，已經(jīng)正式投入量產(chǎn)，不久將正式出貨。

TDI指出，他們采用獨具專利的氫化物汽相外延法(HVPE)，使用位于Silver Spring, MD的多芯片生產(chǎn)設(shè)備生產(chǎn)這些磊外延片。

GaN磊外延片含有一個7～12微米厚的GaN層，該GaN層附著在(0001)　c-plane四英寸藍(lán)寶石襯底上。這些GaN磊外延片適用于低缺陷襯底，用來生產(chǎn)高亮度藍(lán)色、綠色和白色GaN基發(fā)光二極體（LEDs）。

AlN磊外延片包含一個10～30微米厚的AlN絕緣層，該絕緣層附著在(0001) 4英寸金剛砂襯底上。這些AlN磊外延片適用于低缺陷的絕緣層，用來生產(chǎn)高能AlGaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)。

TDI總裁兼首席執(zhí)行官Vladimir Dmitriev表示，「開發(fā)GaN基器件，幷把GaN基器件推廣應(yīng)用于較大襯底，已成為當(dāng)今產(chǎn)業(yè)的一個趨勢。TDI客戶已把目光從標(biāo)準(zhǔn)的2吋外延片投向3吋和4吋磊外延片。不過，TDI已做好了準(zhǔn)備，增加了生產(chǎn)設(shè)施和鍍膜設(shè)備，開始大批量生產(chǎn)4吋（100毫米）GaN磊外延片和AlN磊外延片?！?br />
Vladimir Dmitriev接著說，「目前，TDI在100毫米GaN 和AlN氫化物汽相外延法(HVPE)生產(chǎn)流程和設(shè)備方面，占有領(lǐng)先的優(yōu)勢，TDI計劃在2008年推出6吋磊外延片。批量生產(chǎn)大尺寸低成本的GaN 和AlN襯底將使我們的客戶大大受益，節(jié)約材料，降低成本?！?br />
關(guān)于TDI

TDI是一家新型化合物半導(dǎo)體襯底開發(fā)商，涉獵范圍包括GaN, AlN, AlGaN, InN, 和InGaN等。TDI開發(fā)且推廣了一系列化合物半導(dǎo)體材料，主要應(yīng)用于固體照明設(shè)備、短波光電產(chǎn)品、RF電力電子產(chǎn)品等。