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首爾半導(dǎo)體對(duì)日亞化學(xué)提出控訴

2007-12-06 12:03:52 [編輯：dpliu]

首爾半導(dǎo)體（Seoul Semiconductor）于2007年12月4日向美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)（ITC）提出訴訟，控訴日亞化學(xué)以不公平貿(mào)易方式在氮化鎵（GaN）類的雷射二極體（Laser diode）與發(fā)光二極體（LED）產(chǎn)品進(jìn)口與銷售侵犯首爾半導(dǎo)體在美國(guó)登記的第5,321,713（簡(jiǎn)稱713）項(xiàng)專利。

首爾半導(dǎo)體以投資超過1,000萬美元在研發(fā)Laser diode與LED等相關(guān)技術(shù)，由于這些投資使得首爾半導(dǎo)體獲得許多Laser diode與LED相關(guān)專利。包含713專利等這些專利總共超過1,000項(xiàng)以上。

首爾半導(dǎo)體另一向正在進(jìn)行的美國(guó)登記第5,075,742項(xiàng)專利（簡(jiǎn)稱742專利）侵權(quán)訴訟，也在2007年11月6日向美國(guó)德州東區(qū)地方法院提起。742專利是關(guān)于白光、藍(lán)光、綠光與紫外光的LED與Laser diode等技術(shù)。

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