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中國「半導(dǎo)體照明前沿關(guān)鍵技術(shù)培訓(xùn)研討會」

2008-01-30 10:10:35 [編輯：Emma]
1月24日，「半導(dǎo)體照明前沿關(guān)鍵技術(shù)培訓(xùn)研討會」在中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所學(xué)術(shù)會議中心召開。

會上，中科院物理研究所周均銘教授做了題為《制備超高亮度、大功率LED外延片材料的生長技術(shù)》的報(bào)告。

在報(bào)告中，周均銘教授分析了極化效應(yīng)對GaN基LED發(fā)光效率的影響及非對稱InGaN/GaN耦合寬窄量子阱中的隧穿輔助反常載流子運(yùn)輸問題；提出了非對稱量子阱結(jié)構(gòu)中內(nèi)量子功率顯著提高的方法。并指出目前該所已經(jīng)形成了生長高亮度藍(lán)光LED外延材料的生產(chǎn)技術(shù)，并申請了專利。
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