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LEDinside發(fā)表知識(shí)庫新文章[淺談InN材料的電學(xué)特性]

2008-05-06 15:09:29 [編輯：ivan]

一、制造InN薄膜目前存在的難題
制備高品質(zhì)的InN體單晶材料和外延薄膜單晶材料是研究和開發(fā)InN材料應(yīng)用的前提。但是，制造InN薄膜有兩大困難。

一是InN材料的離解溫度較低，在600 ℃左右就分解了，這就要求在低溫生長下InN ,而作為氮源的NH3的分解溫度較高，要求1000℃左右，這是InN生長的一對(duì)矛盾，因此采用一般的方法很難制備單晶體材料，目前制造InN薄膜最常用 的方法是MBE、HVPE、磁控濺射、MOCVD技術(shù)。

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