日本大阪大學(xué)研究生院工學(xué)研究系材料生產(chǎn)科學(xué)專業(yè)教授藤原康文，試制出利用GaN系半導(dǎo)體的紅光LED組件。藤原康文教授介紹，利用GaN系半導(dǎo)體的藍(lán)光LED組件及綠色LED組件現(xiàn)已達(dá)到實(shí)用水平，但試制出紅光LED組件“還是全球首次”。如果可與藍(lán)光LED組件及綠光LED組件一樣，利用GaN系半導(dǎo)體制造出紅光LED組件，便可在相同底板內(nèi)實(shí)現(xiàn)RGB的三原色。這樣一來(lái)，將有助于實(shí)現(xiàn)像素尺寸較小且精細(xì)度較高的LED顯示器。

此次，通過(guò)在發(fā)光層上利用添加稀土類元素“銪(Eu)”的GaN，實(shí)現(xiàn)了紅光LED組件。此前也進(jìn)行過(guò)向GaN添加Eu以獲得紅光的研究，但原來(lái)采用離子注入法添加Eu，通過(guò)光致激發(fā)(Photoexcitation)獲得紅光。而藤原的研究小組采用MOCVD法添加Eu，同時(shí)通過(guò)注入電流成功地獲得了紅光。

該組件在驅(qū)動(dòng)電流為20mA，驅(qū)動(dòng)電壓為6V時(shí)，光輸出功率為1.3μW。雖然光輸出功率尚小，但作為L(zhǎng)ED組件，如果進(jìn)一步優(yōu)化電極結(jié)構(gòu)等，預(yù)計(jì)還可大幅提高光輸出功率。