av成人,国产精品美女久久久久av爽 ,欧美另类69xxxx,а√新版天堂资源中文8,国产精品美女久久久网av

松下開發(fā)出將Si基板上氮化鎵（GaN）晶體管的耐壓提高至5倍以上的技術(shù)

2010-12-10 11:44:38 [編輯：wendymeng]

松下半導(dǎo)體（Panasonic Semiconductor）開發(fā)出了可將硅（Si）基板上形成的氮化鎵（GaN）功率晶體管的耐壓提高至5倍以上的技術(shù)，有望實(shí)現(xiàn)3000V以上的耐壓。 

松下半導(dǎo)體解明了GaN功率晶體管的耐壓只取決于GaN膜耐壓的原因，并對(duì)該問題產(chǎn)生的原因——流過硅基板和GaN表面的洩漏電流進(jìn)行了抑制，從而提高了GaN功率晶體管的耐壓。使GaN膜厚度達(dá)到1.9μm，耐壓達(dá)到2200V，提高至原來的5倍以上。

此外，松下半導(dǎo)體表示，如果使用過去曾報(bào)告過的9μm的GaN膜厚度，將有可能實(shí)現(xiàn)3940V的耐壓。 

【版權(quán)聲明】
「LEDinside - LED在線」所刊原創(chuàng)內(nèi)容之著作權(quán)屬于「LEDinside - LED在線」網(wǎng)站所有，未經(jīng)本站之同意或授權(quán)，任何人不得以任何形式重制、轉(zhuǎn)載、散布、引用、變更、播送或出版該內(nèi)容之全部或局部，亦不得有其他任何違反本站著作權(quán)之行為。
【免責(zé)聲明】
1、「LEDinside - LED在線」包含的內(nèi)容和信息是根據(jù)公開資料分析和演釋，該公開資料，屬可靠之來源搜集，但這些分析和信息并未經(jīng)獨(dú)立核實(shí)。本網(wǎng)站有權(quán)但無此義務(wù)，改善或更正在本網(wǎng)站的任何部分之錯(cuò)誤或疏失。
2、任何在「LEDinside - LED在線」上出現(xiàn)的信息（包括但不限于公司資料、資訊、研究報(bào)告、產(chǎn)品價(jià)格等），力求但不保證數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性，均只作為參考，您須對(duì)您自主決定的行為負(fù)責(zé)。如有錯(cuò)漏，請(qǐng)以各公司官方網(wǎng)站公布為準(zhǔn)。