近期，士蘭微電子推出了第四代平面結(jié)構(gòu)高壓MOSFET產(chǎn)品——F-CellTM系列高壓MOSFET。該產(chǎn)品工作電壓可以復(fù)蓋400V—900V區(qū)間，工作電流在1A—18A之間，可以兼容多晶穩(wěn)壓管結(jié)構(gòu)以提高ESD特性；具有高可靠性，高效率，高EAS能力，導(dǎo)通電阻低，動(dòng)態(tài)參數(shù)優(yōu)等特點(diǎn)，已被廣泛應(yīng)用于LED 照明，AC-DC功率電源，DC-DC轉(zhuǎn)換器以及PWM馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。

F-CellTM產(chǎn)品采用了尺寸較小的保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)，在相同規(guī)格的條件下，具有相對(duì)較小的芯片面積，可有效增加芯片的利用率且降低芯片的制造成本。

同時(shí)，該產(chǎn)品優(yōu)化了柵氧化層的厚度和制程質(zhì)量，提高了柵源擊穿電壓，從而提高了產(chǎn)品可靠性及穩(wěn)定度；其突出表現(xiàn)在F-CellTM產(chǎn)品在經(jīng)過(guò)HTRB可靠性試驗(yàn)后，IDSS仍然可以維持在幾nA的高水平，這保證了F-CellTM器件在長(zhǎng)時(shí)間工作的高可靠性。

此外，F(xiàn)-CellTM產(chǎn)品通過(guò)在設(shè)計(jì)及制程上的演進(jìn)，優(yōu)化了原胞結(jié)構(gòu)，有效減小了JFET效應(yīng)，使得器件的單位面積導(dǎo)通電阻有明顯減小，從而降低了器件的靜態(tài)損耗；另外，通過(guò)對(duì)多晶柵進(jìn)行重?fù)诫s處理，提高了器件的響應(yīng)速度，從而提高轉(zhuǎn)換效率及降低開(kāi)關(guān)動(dòng)態(tài)損耗。

目前，士蘭微電子F-CellTM高壓MOSFET產(chǎn)品已陸續(xù)導(dǎo)入大量且穩(wěn)定生產(chǎn)中。