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中國中山大學(xué)采用delta摻雜技術(shù)提高氮化物L(fēng)ED的抗靜電能力

2011-10-17 10:24:51 [編輯：joyijiao]

日前，中山大學(xué)光電材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的研究人員表示，其采用四層矽delta摻雜的GaN作為n型復(fù)層，顯著提高了氮化物L(fēng)ED的抗靜電能力，此改善是因外延GaN材料晶體質(zhì)量的改善和器件電流擴(kuò)充的提高引起。

Delta摻雜技術(shù)是在維持氨氣流量不變的情況下，通過選擇性打開或者關(guān)閉三甲基鎵和硅烷來實(shí)現(xiàn)。采用delta摻雜技術(shù)后，LED器件的ESD值從1200伏提高到4000伏以上，而且電功率也明顯增大，350mA工作電流下，輸出功率提高了12.8%。

同時(shí)，delta摻雜層有效降低了GaN材料中的位錯(cuò)密度，使位錯(cuò)密度從7x107/cm2降低到了3x106/cm2，位錯(cuò)密度的降低使LED反向漏電降低一個(gè)數(shù)量級(jí)，因而增強(qiáng)抗靜電能力。

此外，通過紅外顯微鏡對(duì)LED熱性能的測(cè)試，發(fā)現(xiàn)delta摻雜后的LED具有更均勻的電流擴(kuò)散，因此降低了器件的電流密度，因而提高了抗靜電能力。
 

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