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蘇州新納晶光電首批“氮化鎵LED外延片” 產(chǎn)品批量試制成功

2011-11-11 10:16:21 [編輯：joyijiao]

近日，蘇州新納晶光電有限公司宣布，蘇州首個(gè)“國(guó)字號(hào)”納米產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、公司首批“氮化鎵LED外延片”等產(chǎn)品批量試制成功。

新納晶表示，目前LED芯片襯底、外延、芯片、封裝四個(gè)環(huán)節(jié)中，外延技術(shù)由于科技含量高，高端外延芯片八成依靠進(jìn)口。此次批試制的“氮化鎵LED外延片”采用“PSS上成長(zhǎng)高亮度LED”技術(shù)，該技術(shù)共包含4項(xiàng)專利，其中8項(xiàng)為蘇州新納晶光電有限公司總經(jīng)理與博士生導(dǎo)師王懷兵共同研發(fā)的成果，另外6項(xiàng)是中科院蘇州納米所授權(quán)使用的專利。采用該技術(shù)生產(chǎn)的LED燈具，亮度比國(guó)內(nèi)市場(chǎng)最好的同類燈具亮40%，徹底打破國(guó)外大公司在半導(dǎo)體照明領(lǐng)域?qū)ξ覈?guó)的壟斷。計(jì)劃2011年4月，將正式投產(chǎn)，屆時(shí)將有年產(chǎn)37萬(wàn)片外延片、60億粒芯片、75萬(wàn)根日光燈管的能力。
 

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