美國(guó)科銳（Cree）的日本公司科銳日本（Cree Japan）在“第四屆新一代照明技術(shù)展”（012年1月18～20日，東京有明國(guó)際會(huì)展中心）上展出了采用新開(kāi)發(fā)的LED芯片、尺寸比以往產(chǎn)品小且亮度高的白色LED “XLamp XB-D”。

XLamp XB-D的封裝尺寸為2.45mm×2.45mm，面積幾乎是科銳以往產(chǎn)品（3.45mm×3.45mm）的一半。輸入電流為350mA時(shí)的光通量為148lm（結(jié)溫25℃下的數(shù)值），大于以往產(chǎn)品的139lm（結(jié)溫25℃下的數(shù)值）。即使在結(jié)溫85℃（接近在LED照明器具上實(shí)際使用溫度）的條件下，XLamp XB-D的光通量也只會(huì)從148lm降至130lm。這是一款已從2012年1月開(kāi)始供貨的最新產(chǎn)品。

新開(kāi)發(fā)的LED芯片通過(guò)在藍(lán)色LED芯片的基板上設(shè)置多條V字形溝槽，提高了藍(lán)色LED芯片的光提取效率?？其J將使用該技術(shù)的LED芯片系列稱(chēng)為“DA Chip Family”。DA Chip在SiC基板上使作為發(fā)光層的GaN類(lèi)半導(dǎo)體單結(jié)晶生長(zhǎng)，并在SiC基板的外側(cè)設(shè)置V字形溝槽，從V字溝槽一側(cè)向外發(fā)光。由于發(fā)光層一側(cè)與封裝接合，因此發(fā)光時(shí)發(fā)光層產(chǎn)生的的熱量可以較容易地從封裝側(cè)散熱，可防止輸入大電流時(shí)發(fā)光效率下降。

另外，科銳日本還公開(kāi)了白LED發(fā)光效率方面的開(kāi)發(fā)藍(lán)圖。從該藍(lán)圖看，在研發(fā)水準(zhǔn)上2011～2012年發(fā)光效率將達(dá)到231lm/W，并將在2014年前后投產(chǎn)同等效率的白色LED。而正好在1年前，該公司曾公開(kāi)過(guò)發(fā)光效率達(dá)到208lm/W的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)化藍(lán)圖。