近日,中國(guó)科技部公布“十二五”國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(863計(jì)劃)新材料技術(shù)領(lǐng)域“高效半導(dǎo)體照明關(guān)鍵材料技術(shù)研發(fā)”重大項(xiàng)目立項(xiàng)名單,中國(guó)共有14項(xiàng)課題獲得立項(xiàng),其中南昌大學(xué)申報(bào)的“大尺寸Si襯底GaN基LED外延生長(zhǎng)、芯片制備及封裝技術(shù)” 課題獲得資助5000多萬(wàn)元人民幣,占該重大專(zhuān)項(xiàng)總金額的21.6%,居14項(xiàng)課題之首。
該課題主要任務(wù)是研發(fā)成功更高性?xún)r(jià)比的硅襯底LED照明材料與芯片,推出第二代硅襯底LED芯片,推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈和創(chuàng)新鏈向高端發(fā)展,逐步形成具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。將由南昌大學(xué)國(guó)家硅基LED工程技術(shù)研究中心副主任、年僅35歲的贛鄱英才人選王立研究員主持。