氮化鎵基半導(dǎo)體層是生產(chǎn)藍(lán)光譜芯片(包括白光LED)的最常用工藝,氮化鎵層是通過在藍(lán)寶石襯底上使用MOCVD這樣的外延法生長出來的。為了散熱,需要在用于生長外延層的藍(lán)寶石襯底上結(jié)合一層金屬,但是如果藍(lán)寶石和金屬層的熱膨脹系數(shù)不同,熱膨脹系數(shù)低的材質(zhì)容易發(fā)生破裂從而影響外延層的生長品質(zhì)。為防止出現(xiàn)這樣的缺陷,理想的金屬層應(yīng)該具有和藍(lán)寶石相同的熱膨脹系數(shù)。
鉬是原來常用的金屬材料,其導(dǎo)熱性好且耐熱,但是其熱膨脹系數(shù)低于藍(lán)寶石(Al2O3)的熱膨脹系數(shù)(約為5)。新研發(fā)出來的鉬銅復(fù)合材料Mo-Cu R670具有和藍(lán)寶石相同的熱膨脹系數(shù),其熱導(dǎo)率為170W/mK,溫度漂移6.7ppm/K。