近日，中國能訊微電子有限公司向AIXTRON 愛思強(qiáng)下達(dá)首筆訂單，購買愛思強(qiáng)近耦合噴淋頭@（CCS）CRIUS@ MOCVD 系統(tǒng)，用于氮化半導(dǎo)體電子器件的生產(chǎn)。該系統(tǒng)將成為中國首臺用于專門生產(chǎn)氮化鎵（GaN）電子器件的系統(tǒng)。

該AIXTRON 愛思強(qiáng)系統(tǒng)將被應(yīng)用于在碳化硅和硅基材上生長氮化鎵和相關(guān)氮化半導(dǎo)體外延層，以生產(chǎn)微波和功率器件。

目前，該系統(tǒng)已完成安裝和調(diào)試工作，隨時可用于生產(chǎn)優(yōu)質(zhì)的氮化鎵外延晶片。能訊微電子總裁兼首席執(zhí)行官張乃千博士評價道：“邁出這一步對我們而言至關(guān)重要。高功率和高效率的氮化鎵電子器件是下一代功率管理和數(shù)據(jù)通信的重要組件。這項具有顛覆性意義的技術(shù)將幫助我們實現(xiàn)社會的可持續(xù)發(fā)展。愛思強(qiáng)反應(yīng)器已被證明是應(yīng)用于整個生產(chǎn)當(dāng)之無愧的選擇。”

AIXTRON 愛思強(qiáng)副總裁兼電力電子項目經(jīng)理Frank Wischmeyer 博士表示：“能訊微電子的技術(shù)團(tuán)隊在愛思強(qiáng)CCS 技術(shù)的應(yīng)用方面已有豐富的經(jīng)驗。我們希望通過我們的專業(yè)知識為他們提供支持，從而加快氮化鎵功率器件進(jìn)入中國市場的步伐。”

與傳統(tǒng)硅器件相比，氮化鎵電子器件能使高頻率（RF）和電力電子應(yīng)用發(fā)揮出更優(yōu)越的效率和功率密度性能。然而，實際應(yīng)用中必須攻克兩大難關(guān)：第一，氮化鎵與異質(zhì)襯底之間存在嚴(yán)重的晶格失配，因此其生長必須經(jīng)過特殊程序處理；第二，為了能與硅器件競爭，必須盡可能地降低其制造成本，這就要求最先進(jìn)的MOCVD 技術(shù)提供高度一致性與再現(xiàn)性。