近日,藍(lán)光LED發(fā)明人、美國(guó)加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校(UCSB)工程學(xué)院材料系中村修二(Shuji Nakamura)教授來(lái)訪中科院上海微系統(tǒng)所并作了學(xué)術(shù)報(bào)告。
中村修二教授的報(bào)告題目名為“Recent Advances in Nonpolar and Semipolar GaN for Blue and Green Laser Diodes and LEDs”。報(bào)告中,中村修二教授介紹了近期其團(tuán)隊(duì)在基于非極化和半極化GaN的藍(lán)/綠光激光二極管和LED方面的研究工作及成果。中村修二教授及其團(tuán)隊(duì)利用該技術(shù)制作出超高亮度激光二極管和LED,未來(lái)在高亮度照明、激光顯示等應(yīng)用上具有廣闊前景。