LED價(jià)格下滑趨勢(shì)不變，LED晶片廠不斷在制程與技術(shù)方面進(jìn)行改善以降低成本，半導(dǎo)體設(shè)備廠極特先進(jìn)科技(GT ADVANCED TECHNOLOGIES)開發(fā)取代MOCVD中nGaN和uGaN生長(zhǎng)制程的HVPE系統(tǒng)，未來LED晶片廠可以透過增加HVPE系統(tǒng)的方式加速磊晶生長(zhǎng)，相較以添購(gòu)MOCVD方式擴(kuò)增產(chǎn)能，輔以HVPE系統(tǒng)擴(kuò)增產(chǎn)能可望為L(zhǎng)ED晶片廠最高省下25%的資本支出。

GT已在2013年5月發(fā)表利用Soitec Phoenix Labs（Soitec旗下子公司）獨(dú)家擁有的HVPE專利技術(shù)，HVPE技術(shù)的特點(diǎn)是生長(zhǎng)速率快，能夠以較低的成本快速生長(zhǎng)nGaN和uGaN，HVPE所用的前驅(qū)體(GaCl3)也比MOCVD所需要用的前驅(qū)體TMG，便宜10倍，加上HVPE系統(tǒng)在nGaN和uGaN的產(chǎn)出速度較MOCVD快，因此，LED晶片廠未來可以透過增加HVPE系統(tǒng)方式擴(kuò)增產(chǎn)能。

GT舉例說明指出，一臺(tái)HVPE的產(chǎn)能相當(dāng)于2臺(tái)MOCVD,也就是對(duì)于一個(gè)已經(jīng)擁有12臺(tái)MOCVD的LED晶片廠來說，廠商若希望將產(chǎn)能增加一倍，已往就是采取再度購(gòu)置12臺(tái)MOCVD方式達(dá)成目標(biāo)，但現(xiàn)在可以在不添增MOCVD機(jī)臺(tái)下，進(jìn)而購(gòu)置6臺(tái)HVPE系統(tǒng)，以HVPE系統(tǒng)取代nGaN和uGaN的生長(zhǎng)制程，同時(shí)可以讓MOCVD機(jī)臺(tái)專注于其他layer的生長(zhǎng)達(dá)到產(chǎn)能擴(kuò)增的目標(biāo)，這樣一來，LED晶片廠購(gòu)置設(shè)備成本將可望明顯降低。

GT指出，HVPE系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)藍(lán)寶石基GaN的規(guī)模化、低成本生產(chǎn)，估計(jì)HVPE系統(tǒng)可降低超過80%的前驅(qū)體成本，同時(shí)提高昂貴MOCVD制程的產(chǎn)量，最高可以為L(zhǎng)ED晶片廠降低25%資本支出，HVPE系統(tǒng)預(yù)計(jì)將于2014年下半年上市。