LED外延大廠晶電發(fā)表最新技術(shù)，概念燈泡的電源模組采用硅基氮化鎵（GaN-on-Si，在硅基板上生長氮化鎵）功率半導(dǎo)體，可將電源模組體積大幅縮小75%。如果量產(chǎn)成功，晶電將從LED領(lǐng)域跨足功率半導(dǎo)體，拉出市場新戰(zhàn)線。初期這項(xiàng)技術(shù)用于晶電自家LED燈泡，未來可望延伸至手機(jī)、筆電、甚至冰箱、洗衣機(jī)等的電源。

全球都在開發(fā)功率半導(dǎo)體的新材料，近年較熱門的是GaN-on-Si。包括美國麻省理工學(xué)院、韓國三星、日本東芝都在積極研發(fā)。晶電是全球LED外延龍頭，原本就擅長在藍(lán)寶石基板上生長GaN的技術(shù)（主要用于LED照明和背光領(lǐng)域），因此若要研發(fā)在硅基板上生長GaN，相對具有優(yōu)勢。

功率半導(dǎo)體的應(yīng)用分為兩大塊，一是通訊微波的功率放大，一是電源管理，后者市場相當(dāng)龐大，小從LED燈泡內(nèi)的電源模組，大到手機(jī)、筆電、家電甚至電動(dòng)車的電源。

在上周的2015 LED Taiwan展覽中，晶電研發(fā)副總謝明勛發(fā)表一款新的概念燈泡，其中的電源模組，就是采用GaN-on-Si技術(shù)，成功將電源模組的體積減少了75%。謝明勛表示，目前電源管理使用的功率半導(dǎo)體，多采用硅晶圓，改用GaN-on-Si的好處是能源效率更好、可容許更大電壓、體積大幅縮小。

日本大廠東芝（Toshiba）在三月初的東京照明展也發(fā)表類似技術(shù)，在LED燈泡中采用GaN-on-Si技術(shù)，不過僅限于功率半導(dǎo)體的單一元件，體積減少4成。相形之下，晶電的技術(shù)是用于整顆電源功率模組，體積大減75%。

業(yè)界人士分析，這項(xiàng)技術(shù)還在萌芽階段，一旦成功，等于發(fā)現(xiàn)市場新大陸，晶電將可從傳統(tǒng)LED跨足功率半導(dǎo)體市場。（責(zé)編：Nicole）

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