12月16日，三安光電項目第二次指揮長會議召開。

據鄂州市政府官方消息，鄂州市長劉海軍表示，要確保項目2021年元月如期建成。要全力以赴加快拆遷供地，力爭今年春節(jié)前完成項目二期用地范圍內剩余征遷工作。

今年4月24日，葛店開發(fā)區(qū)與LED芯片龍頭企業(yè)三安光電股份有限公司正式簽約，在葛店投資建設全球首條Mini/Micro LED外延與芯片生產線，項目投資總額120億元，于7月29日正式開工。

三安光電Mini/Micro LED芯片項目，將建成Mini/Micro LED氮化鎵芯片、Mini/Micro LED砷化鎵芯片、4K顯示屏用封裝三大產品系列的研發(fā)生產基地，預計將形成年產Mini LED芯片210萬片、Micro LED芯片26萬片、4K顯示屏用封裝產品84000臺的研發(fā)制造能力。

預計氮化鎵芯片系列年產161萬片（其中藍光Mini LED 72萬片/年，藍光Micro LED 9萬片/年，綠光Mini LED 72萬片/年，綠光Micro LED 8萬片/年）；砷化鎵芯片系列年產75萬片（其中紅光Mini LED 66萬片/年，紅光Micro LED 9萬片/年）。（文稿來源：半導體投資聯盟）

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