英飛凌科技（Infineon）持續(xù)擴展其全方位的碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，新增650V產(chǎn)品系列。英飛凌新發(fā)表的CoolSiC MOSFET能滿足廣泛應用對于能源效率、功率密度和耐用度不斷提升的需求，包括：服務器、電信和工業(yè)SMPS、太陽能系統(tǒng)、能源儲存和化成電池、UPS、馬達驅動以及電動車充電等。

英飛凌電源管理與多元電子事業(yè)處高壓轉換部門資深協(xié)理Steffen Metzger表示，推出這項產(chǎn)品后，英飛凌在600V/650V電源領域完備了硅、碳化硅和氮化鎵（GaN）型功率半導體產(chǎn)品組合。這也凸顯了我們在業(yè)界的獨特地位，是唯一一家推出涵蓋這三種電源技術多樣化產(chǎn)品的制造商。此外，最新的CoolSiC系列也展現(xiàn)了我們目標成為工業(yè)用SiC MOSFET開關供應商龍頭的決心。

CoolSiC MOSFET 650V導通電阻介于27m?至107m?，采用常見的TO-247之3腳和TO-247之4腳封裝，有助于進一步降低切換損耗。如同先前推出的所有CoolSiC MOSFET產(chǎn)品，新的650V系列亦采用英飛凌先進的溝槽式（trench）半導體技術，使SiC強大的物理特性能獲得最大的發(fā)揮，確保裝置達到最優(yōu)異的可靠度、同級最佳的切換損耗和導通損耗。同時，這些裝置具備最高的跨導等級（增益）、4V臨界電壓（Vth）和短路耐用度。溝槽式技術能使應用達到最低的損耗，和最高的運作可靠度，同時兼顧全方位效能。

相較于市場上其他的硅和碳化硅解決方案，650V CoolSiC MOSFET提供許多極具吸引力的優(yōu)勢，例如：在更高頻率下的切換效率以及出色的可靠度。這些裝置具有非常低的導通電阻與溫度的相依性，散熱特性極其出色。裝置采用穩(wěn)定可靠的本體二極管，擁有非常低的逆復原電荷（Qrr），較效能最好的超接面CoolMOS MOSFET降低了約80％。裝置在整流方面的耐用度，有助于輕松達到98％的整體系統(tǒng)效率，例如：搭配連續(xù)傳導模式的圖騰柱電路功率因子校正（PFC）。

為了簡化CoolSiC MOSFET 650V的應用設計，確保裝置實現(xiàn)高效能運作，英飛凌亦推出專用的單通道和雙通道電氣隔離EiceDRIVER閘極驅動IC。此解決方案結合了CoolSiC開關和專用的閘極驅動IC，有助于降低系統(tǒng)成本和整體擁有成本，且能提高能源效率。CoolSiC MOSFET也能與英飛凌EiceDRIVER閘極驅動器系列的其他IC無縫配合運作。（來源：工商時報）

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