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國內(nèi)最大碳化硅基地正式投產(chǎn) ,總投資50億元

昨(8)日消息,據(jù)報(bào)道,投資50億元,建設(shè)用地約1000畝的中國電科(山西)電子信息科技創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園在山西轉(zhuǎn)型綜改示范區(qū)正式投產(chǎn)。

人民網(wǎng)報(bào)道稱,該項(xiàng)目計(jì)劃用5年時(shí)間,建成“一中心三基地”,即:中國電科(山西)碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地、中國電科(山西)電子裝備智能制造產(chǎn)業(yè)基地、中國電科(山西)三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心、中國電科(山西)光伏新能源產(chǎn)業(yè)基地。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后,預(yù)計(jì)形成產(chǎn)值100億元。

山西臺(tái)記者劉洋在報(bào)道中指出,這個(gè)碳化硅基地一期共有300臺(tái)設(shè)備,單月產(chǎn)值就能突破一億元。項(xiàng)目全部建成后,將成為國內(nèi)最大的碳化硅材料供應(yīng)基地,而這個(gè)1000畝的產(chǎn)業(yè)園將串聯(lián)起山西轉(zhuǎn)型綜改示范區(qū)上下游十多個(gè)產(chǎn)業(yè),帶動(dòng)山西半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群迅速發(fā)展,實(shí)現(xiàn)中國碳化硅的完全自主供應(yīng)。

大禁帶寬度、高臨界擊穿場強(qiáng)、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率,是第三代半導(dǎo)體碳化硅單晶材料最響亮的“名片”,不過,碳化硅單晶的制備一直是全球性難題,而高穩(wěn)定性的長晶工藝技術(shù)是其核心。而在中國,碳化硅單晶襯底材料長期依賴進(jìn)口,其高昂的售價(jià)和不穩(wěn)定的供貨情況大大限制了國內(nèi)相關(guān)行業(yè)的發(fā)展。

山西爍科晶體有限公司總經(jīng)理李斌稱:碳化硅是一個(gè)非常關(guān)鍵的半導(dǎo)體的原材料,整個(gè)從山西來說,能帶動(dòng)一個(gè)50到100億元的產(chǎn)業(yè)鏈,現(xiàn)在大家都在搶占這個(gè)時(shí)間點(diǎn),我們現(xiàn)在就是要爭分奪秒把這個(gè)時(shí)間節(jié)點(diǎn)抓住,一方面抓好疫情防控,一方面抓好復(fù)工復(fù)產(chǎn),真正把這個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的制高點(diǎn)抓在我們自己手里,落地在山西。··

據(jù)了解,自2007年,中國電科2所開始著手布局碳化硅單晶襯底材料的研制規(guī)劃,目前已經(jīng)掌握了高純碳化硅粉料制備工藝、4英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底的制備工藝,形成了從碳化硅粉料制備、晶體生長、晶片加工、外延驗(yàn)證等整套碳化硅材料研制線,在國內(nèi)最早實(shí)現(xiàn)了高純碳化硅材料、高純半絕緣晶片量產(chǎn)。(來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察)

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