據(jù)報(bào)道，德國硅基氮化鎵專家ALLOS Semiconductors宣布與沙特阿卜都拉國王科技大學(xué)（KAUST）研究團(tuán)隊(duì)達(dá)成合作，雙方將共同研發(fā)高效硅基InGaN紅色Micro LED。

據(jù)了解，大晶格失配（lattice mismatch ）和量子限制斯塔克效應(yīng)（quantum-confined Stark effect，QCSE）等問題限制了紅色氮基LED在實(shí)際工業(yè)應(yīng)用中的使用，而ALLOS與KAUST本次合作將致力于解決這些基本問題。

圖片來源：ALLOS

值得注意的是，在Micro LED顯示領(lǐng)域，除了藍(lán)色和綠色LED之外，Micro LED顯示還對在大尺寸晶圓上生長紅色LED有強(qiáng)勁的需求，目的在于降低制造復(fù)雜性和成本。

據(jù)悉，KAUST團(tuán)隊(duì)此前通過采用局部應(yīng)變補(bǔ)償（Local Strain Compensation）和改良后的MOCVD反應(yīng)器設(shè)計(jì)，在開發(fā)正向電壓（Forward Voltage）低于2.5V且高效的InGaN基紅色Micro LED方面獲得了一些突破。他們已在藍(lán)寶石襯底和Ga2O3（氧化鎵）襯底上生長出紅色LED。

圖片來源：KAUST

為了采用晶圓級（尤其是大尺寸晶圓）工程應(yīng)變技術(shù)來開發(fā)潛在高性能紅色LED，KAUST團(tuán)隊(duì)與ALLOS共同將研究工作延伸到硅襯底上。憑借能夠?qū)⒕A片擴(kuò)展到300mm以及在硅襯底產(chǎn)線上加工的能力，雙方的合作將加快量產(chǎn)進(jìn)程。對于Micro LED顯示器，特別是用于AR設(shè)備的單片集成Micro LED顯示器而言，這將是另一個(gè)重要的助攻。

KAUST團(tuán)隊(duì)與ALLOS將充分利用各自的專業(yè)知識來處理應(yīng)變問題，優(yōu)化硅基氮化鎵和紅色LED的晶體生長條件，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)在硅基氮化鎵緩沖層上生長紅色LED堆棧（Stack）。（LEDinside Janice編譯）

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