4月1日，北京賽微電子股份有限公司（以下簡稱“賽微電子”）發(fā)布公告稱，其控股子公司青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司（以下簡稱“聚能創(chuàng)芯”）擬與山東嘉俊投資管理有限公司簽訂《投資協(xié)議》，共同投資設(shè)立青州聚能國際半導(dǎo)體制造有限公司（暫定名，以下簡稱“聚能國際”）。

聚能國際主要從事 6-8 英寸 GaN 芯片的晶圓制造，將在租賃現(xiàn)成土地廠房的基礎(chǔ)上進(jìn)行適應(yīng)性補充建設(shè)，且已經(jīng)鎖定成套熱線設(shè)備、目標(biāo)是在 2021 年內(nèi)建成并做好投產(chǎn)準(zhǔn)備。

賽微電子與青州市人民政府簽署了合作協(xié)議。斥資10億元，擬在在青州經(jīng)濟開發(fā)區(qū)分期建設(shè)聚能國際 6-8 英寸硅基氮化鎵功率器件半導(dǎo)體制造項目。

據(jù)悉，項目總占地面積 30 畝，一期建成投產(chǎn)后將形成 6-8 英寸 GaN 芯片晶圓 5,000 片/月的生產(chǎn)能力，二期建成投產(chǎn)后將形成 6-8 英寸 GaN 芯片晶圓 12,000 片/月的生產(chǎn)能力。

項目一期計劃建設(shè)周期為 9 個月，2021 年底前做好投產(chǎn)前準(zhǔn)備，2022 年 上半年投入生產(chǎn)，一期產(chǎn)能投產(chǎn)達(dá)效后預(yù)計可新增年銷售收入 5 億元，利稅 8,000 萬元。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、金剛石等，因 其禁帶寬度（Eg）大于或等于 2.3 電子伏特（eV），又被成為寬禁帶半導(dǎo)體材料， 與第一、二代相比，第三代半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強、高飽和電子 速率等優(yōu)點，可以滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等 惡劣條件的新要求。

截至目前，賽微電子已于 2018 年 7 月在青島市嶗山區(qū)投資設(shè)立“青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司”，主要從事功率與微波器件，尤其是氮化鎵（GaN）功率與微 波器件的設(shè)計、開發(fā)。

于 2018 年 6 月在青島市即墨區(qū)投資設(shè)立“聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司”，主要從事半導(dǎo)體材料，尤其是氮化鎵（GaN）外延 材料的設(shè)計、開發(fā)、生產(chǎn)，該公司投資建設(shè)的第三代半導(dǎo)體材料制造項目（一期） 已于 2019 年 9 月達(dá)到投產(chǎn)條件，正式投產(chǎn)。

作為賽微電子 GaN 業(yè)務(wù)一級平臺公司， 截至目前，聚能創(chuàng)芯在 6-8 英寸硅基 GaN 外延晶圓、GaN 功率器件及應(yīng)用方面已形成系列產(chǎn)品并實現(xiàn)批量銷售。

對于此次項目對公司產(chǎn)生的影響，賽微電子稱，若項目順利建成，將有助于公司進(jìn)一步完善 GaN 業(yè)務(wù)的全產(chǎn)業(yè)鏈布局，把握 GaN 業(yè)務(wù)發(fā)展的關(guān)鍵機遇窗口。（來源：化合物半導(dǎo)體市場）

轉(zhuǎn)載請標(biāo)注來源！更多LED資訊敬請關(guān)注官網(wǎng)或搜索微信公眾賬號（LEDinside）。