據(jù)外媒報道，美國硅谷公司Sundiode Inc展示了一個全彩Micro LED微顯示器，由堆疊式RGB Micro LED像素陣列組成，采用主動矩陣硅基CMOS背板驅(qū)動技術(shù)。

據(jù)悉，Sundiode位于美國加州圣克拉拉的坎貝爾城市，致力于開發(fā)用于AR/MR等設(shè)備的Micro LED顯示技術(shù)。今年4月，Sundiode公布其專有的堆疊式RGB Micro LED像素技術(shù)，并宣布與韓國光子技術(shù)研究院（Korea Photonics Technology Institute）合作在單晶圓上實現(xiàn)全彩Micro LED像素器件。

在此基礎(chǔ)上，Sundiode采用了Jasper Display Corp（位于美國加州圣克拉拉）可助力實現(xiàn)全彩的硅基CMOS背板，開發(fā)了堆疊式RGB Micro LED全彩顯示器，Micro LED芯片尺寸為100μm，顯示器尺寸為15.4mm×8.6mm，分辨率為200PPI。

由堆疊式RGB像素陣列組成的微顯示器，每個像素都是堆疊式的RGB Micro LED器件

據(jù)介紹，傳統(tǒng)Pick & Place取放技術(shù)工藝需要單獨轉(zhuǎn)移R/G/B三個像素，而Sundiode的專有技術(shù)，只需要將單晶圓上的堆疊式RGB Micro LED像素陣列直接接合到硅基CMOS背板上。

此外，本次與Sundiode合作的JDC是一家無晶圓IC設(shè)計廠，提供支持開發(fā)Micro LED的CMOS背板技術(shù)，包括全高清、4K分辨率的背板，具有出色的電流一致性和靈活的尋址功能。

此前，英國Plessey也曾選用JDC的硅基背板開發(fā)Micro LED顯示器。本次與Sundiode的合作再次表明其Micro LED CMOS背板技術(shù)可滿足客戶的定制化需求，適用于低功率的AR設(shè)備，也適用于汽車大燈等不同的應(yīng)用。

目前，Sundiode正在進(jìn)行下一階段的研發(fā)，旨在顯著提升全彩像素密度，以滿足AR/MR設(shè)備對顯示技術(shù)的要求。未來，Sundiode將力爭開發(fā)出基于堆疊式RGB像素技術(shù)的超高分辨率微顯示器。（LEDinside Janice編譯）

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