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一周熱點:Mini/Micro LED熱度依舊,創(chuàng)維、JBD等企業(yè)動態(tài)一覽

本周,Mini/Micro LED熱度持續(xù),Nanosys獲得超5000萬美元融資、Rohinni獲得4項固晶技術專利;華引芯、創(chuàng)維、JBD則相繼發(fā)布Mini/Micro LED新品。另外,聚飛光電、海拉分別在車用LED與車燈領域有最新動態(tài)。詳細內容,請看下文。

【精選事件】

★Nanosys獲超5千萬美元B輪融資,加速Micro LED和量子點技術商業(yè)化

7月25日,Nanosys宣布已完成B輪融資,籌集資金超5000萬美元,資金將用于公司QDEF™和 xQDEF™液晶量子點技術的持續(xù)發(fā)展,并推動Nanosys Micro LED技術平臺的商業(yè)化以及下一代電致發(fā)光量子點nanoLED技術的開發(fā)。

★Rohinni LED固晶技術獲得中國專利,速度提升33%

7月25日,MiniLED轉移設備廠商Rohinni宣布,公司在中國取得四項與高速固晶工藝相關的新專利,獲得專利的工藝技術可將設備固晶速度提高了33%。Rohinni與京東方的Mini/Micro LED合資公司BOE Pixey將獲得本次專利技術的使用許可。

★愛思強公布最新財報,已拿下首個Micro LED量產設備訂單

7月28日,愛思強公布最新業(yè)績,上半年愛思強實現(xiàn)新增訂單總額2.828億歐元,同比增長7%。從應用領域來看,Micro LED量產設備需求最強勁,其次是SiC/GaN電力電子設備需求。上半年,愛思強已獲得首個Micro LED量產設備訂單,而據(jù)LEDinside了解,今年2月,愛思強宣布華燦光電向其訂購MOCVD設備,用于開發(fā)Micro LED顯示技術。

★聚飛光電:多個應用公司MiniLED產品的汽車將于近期發(fā)布

7月25日消息,日前聚飛光電透露車用LED業(yè)務最新進展。聚飛光電的車規(guī)級MiniLED產品已應用在上汽榮威 RX5、理想L9汽車的車顯屏幕上。此外,還有多個應用聚飛光電車用MiniLED定制方案的終端汽車將于近期發(fā)布。

★海拉攜手海納川開設常州新車燈工廠

7月21日,北京海納川海拉車燈公司位于江蘇常州的車燈工廠正式開業(yè),新工廠投資金額超千萬歐元,專注于汽車前臉照明的前沿技術,初期年產量約60萬套,主要生產前臉貫穿燈帶。據(jù)悉,北京海納川海拉車燈公司由海拉與北京海納川公司合資成立。

★京東方/華星光電/群創(chuàng)/友達等面板廠商布局玻璃基芯片封裝

7月25日消息,為應對消費性電子產品需求放緩的影響,京東方、華星光電、友達、群創(chuàng)等面板廠開始成立團隊,布局玻璃基芯片封裝。面板上游材料供應商美國康寧和日本玻璃大廠 AGC也在投入資源,發(fā)展用于先進芯片封裝的玻璃載體。

★LGD將于年底前關閉韓國LCD電視面板產線

7月28日消息,LG Display決定在2023年前停止為韓國電視市場生產低利潤的LCD面板,而中國LCD工廠也決定將部分電視面板生產線轉換為IT設備。此外,LG Display計劃在今年下半年專注有機發(fā)光二極管(OLED)面板的生產。

【新品新技術】

★華引芯推出小尺寸白光MiniLED柔性背光VR顯示模組

7月26日消息,華引芯宣布推出白光MiniLED柔性背光VR顯示模組,采用華引芯獨家自研ACSP白光MiniLED背光技術,產品具有、輕薄、低功耗、高亮度、燈驅合一的優(yōu)勢,目前產品已進入可量產階段。

★創(chuàng)維推出消費級MiniLED背光VR眼鏡PANCAKE 1Pro

7月25日,創(chuàng)維發(fā)布全新PANCAKE VR眼鏡系列產品:PANCAKE 1C、PANCAKE 1、PANCAKE 1Pro,其中,PANCAKE 1Pro搭載了MiniLED背光技術。PANCAKE 1C和PANCAKE 1將于8月26日京東開啟預售,PANCAKE 1Pro則將于今年底上市。

★JBD聯(lián)合縱維立方開發(fā)首款消費級Micro LED 3D打印機

7月26日消息,JBD宣布與3D打印創(chuàng)新企業(yè)縱維立方共同開發(fā)全球首款消費級Micro LED 3D打印機,通過搭載JBD的0.13英寸紫外Micro LED自發(fā)光微顯示屏和JBD最新可調焦光引擎,打印機可滿足高精度3D打印需求。產品有望在8月TCT亞洲展會亮相。

★廈門大學聯(lián)合乾照光電,在綠光LED效率上獲重大進展

7月29日消息,廈門大學聯(lián)合乾照光電在提升綠光LED效率方面取得重大進展,研究通過并入高濃度氧形成AlNO緩沖層,降低圖形化藍寶石襯底與GaN外延層間晶格失配。研究結果顯示526 nm綠光LED芯片在20 A/cm2的工作條件下外量子效率達46.1%、光電轉換效率達41.9%,是目前報道的最高數(shù)值。(LEDinside Irving整理)

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