10月25日，日本技術(shù)開發(fā)商N(yùn)itride Semiconductors宣布成功開發(fā)了R/G/B三種可見光范圍內(nèi)的Micro LED，紅綠藍(lán)光的波長分別是620nm、510nm、450nm，并基于此推出結(jié)合Micro UV LED的試用套件。

據(jù)LEDinside了解，Nitride于2018年成功開發(fā)尺寸為12μm x 24μm、波長為385nm的高效Micro UV LED，并在2021年先后在英國、德國、法國、美國等地區(qū)獲得專利。Nitride利用該專利技術(shù)激發(fā)紅、綠、藍(lán)熒光粉來制備全彩顯示屏，并成功將Micro UV LED芯片微縮至12μm x 24μm，芯片之間在水平方向和垂直方向上的距離皆為5μm，可用于Micro LED顯示器上，有望應(yīng)用到下一代AR眼鏡和智能眼鏡等可穿戴設(shè)備中。

彼時，Nitride表示，這項技術(shù)能夠降低顯示器用Micro UV LED芯片的成本，Nitride正在開發(fā)大規(guī)模量產(chǎn)化的技術(shù)，現(xiàn)已向用戶提供樣品。如今，Nirtide在此基礎(chǔ)上新增了可見光范圍內(nèi)的Micro LED，全彩化Micro LED開發(fā)進(jìn)程提速。

紅、綠、藍(lán)、紫外Micro LED發(fā)射波長數(shù)據(jù)（48μm×48μm）

Nitride介紹，為了方便用戶對比每種顏色的特點，公司制備了一個Micro RGB+UV LED芯片試用套件，該套件由四種波長的Micro LED組成（四合一套件），包括紅、綠、藍(lán)、紫外光。Nitride表示，采用Micro RGB+UV LED套件，Micro LED顯示器開發(fā)商可以嘗試不同波長和尺寸的芯片，借此選出適用于最適合量產(chǎn)Micro LED顯示器的芯片。

紅光Micro LED芯片發(fā)光

值得關(guān)注的是，Micro LED的全彩化一直以來都是行業(yè)性難題，尤其是紅光LED的生產(chǎn)和效率問題，不過GaN材料被視作能夠解決紅光Micro LED性能問題并助力實現(xiàn)全彩化的佳選。近幾年來，首爾半導(dǎo)體、Porotech、晶能光電等全球廠商積極通過產(chǎn)學(xué)研合作，借力GaN材料突破了紅光LED的問題，獲得實質(zhì)性進(jìn)展，Nitride同樣如此。

24μm×48μm紅光Micro LED芯片

此次Nitride正是利用InGaN代替GaAs或GaP等傳統(tǒng)材料，實現(xiàn)了紅光LED的開發(fā)，此舉又一次驗證了GaN材料的應(yīng)用潛力，也意味著Micro LED的全彩化瓶頸正在逐步實現(xiàn)突破，量產(chǎn)進(jìn)度可期。（LEDinside Janice編譯）

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