1月24日，英國牛津儀器（Oxford Instruments）宣布，公司已向英國知名Micro LED 廠商供應原子層沉積 (ALD) 設備，以支持最新AR/VR設備和顯示產(chǎn)品的生產(chǎn)。牛津儀器表示，ALD設備可為高密度、極高亮度、低功耗和高幀率RGB 像素陣列沉積高K介電超薄膜，滿足XR設備、智能穿戴設備的應用需求。

圖片來源：牛津儀器

資料顯示，牛津儀器業(yè)務主要分為納米分析設備、工業(yè)分析設備和服務三大部分，其產(chǎn)品包括沉積與刻蝕設備、光學成像設備、低溫系統(tǒng)、電子顯微鏡、核磁共振設備等，可用于半導體、微電子、量子科技、光子學、鋰電池、能源生產(chǎn)與儲存等領域。

此前，牛津儀器曾與臺工研院多次達成合作，在HBLED、MEMS、Micro LED、硅光子學、奈米分析等領域獲得豐富成果。

據(jù)悉，原子層沉積（Atomic layer deposition)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學沉積有相似之處，該技術目前主要應用于半導體和納米技術領域。

在第14屆國際氮化物半導體會議 (ICNS 2023) 上，眾多專家講者強調(diào)了等離子原子層沉積技術在防護Micro LED生產(chǎn)損傷方面的優(yōu)勢，并證明了等離子體原子層沉積技術可顯著提高Micro LED芯片的外部量子效率，因此原子層沉積技術是未來微型光發(fā)射器發(fā)展的關鍵。

牛津儀器表示，公司的低損傷等離子原子層沉積技術獲得了市場關注。公司的等離子 ALD高K鈍化解決方案，針對具有較小活性區(qū)域的Micro LED微芯片進行了優(yōu)化，并且方案可將Micro LED外部量子效率翻倍。（LEDinside Irving編譯）

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