高度集成的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器提高了高壓應(yīng)用的功率密度和效率
 
美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司（National Semiconductor Corp.）（NSM）今天宣布，推出業(yè)界首款針對(duì)高壓電源轉(zhuǎn)換器的增強(qiáng)型氮化鎵（GaN）功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）而優(yōu)化的100V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體新推出的LM5113是一款高度集成的高邊和低邊GaN FET驅(qū)動(dòng)器，與使用分立驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)相比，其可減少75％的組件數(shù)量，并還能縮小多達(dá)85％的印刷電路板（PCB）面積。

 
磚式電源模塊和通信基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備的設(shè)計(jì)人員需要以最小的外形尺寸實(shí)現(xiàn)更高的功效。與標(biāo)準(zhǔn)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）相比，由于具有較低的導(dǎo)通電阻（Rdson）、柵極電荷（Qg）以及超小的體積，增強(qiáng)型GaN FET可以實(shí)現(xiàn)更高的效率和功率密度，但是要可靠地驅(qū)動(dòng)這類器件也面臨著新的重大挑戰(zhàn)。美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體的LM5113驅(qū)動(dòng)集成電路化解了這些挑戰(zhàn)，使電源設(shè)計(jì)人員能夠在各種流行的電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中發(fā)揮GaN FET的優(yōu)勢(shì)。
 
為了滿足增強(qiáng)型GaN FET嚴(yán)格的柵極驅(qū)動(dòng)要求，我們需要多個(gè)分立器件和大量的電路以及PCB設(shè)計(jì)工作。美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體的LM5113完全集成的增強(qiáng)型GaN FET驅(qū)動(dòng)器大大減少了電路的數(shù)量和PCB的設(shè)計(jì)工作，并實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最佳的功率密度和效率。
 
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(Efficient Power Conversion Corporation)的創(chuàng)始人之一兼首席執(zhí)行官Alex Lidow表示：“美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體的LM5113橋式驅(qū)動(dòng)器有助于設(shè)計(jì)人員通過(guò)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)來(lái)發(fā)揮eGaN FETs的性能。LM5113大大減少了元件數(shù)量，與我們的eGaN FETs配合使用，可以大幅縮小PCB面積，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度水平，而基于等效MOSFET的設(shè)計(jì)是做不到這一點(diǎn)的?！?br />  
LM5113橋式驅(qū)動(dòng)器的技術(shù)特點(diǎn)

美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體的LM5113是一款針對(duì)增強(qiáng)型GaN FET的100V橋式驅(qū)動(dòng)器。該器件采用專有技術(shù)，可將高邊浮動(dòng)自舉電容電壓調(diào)節(jié)到大約5.25V，以優(yōu)化驅(qū)動(dòng)增強(qiáng)型GaN功率FET，而不會(huì)超過(guò)最高柵-源額定電壓。LM5113還具有獨(dú)立的匯/源輸出，可實(shí)現(xiàn)靈活的導(dǎo)通強(qiáng)度和關(guān)斷強(qiáng)度。0.5歐姆的低阻抗下拉路徑為低閾值電壓增強(qiáng)型GaN功率FET提供了一種快速、可靠的關(guān)斷機(jī)制，有助于最大限度地提高高頻電源設(shè)計(jì)的效率。LM5113集成了一個(gè)高邊自舉二極管，進(jìn)一步縮小了PCB面積。LM5113還為高邊和低邊驅(qū)動(dòng)器提供了獨(dú)立的邏輯輸入，從而可以靈活運(yùn)用于各種隔離式和非隔離式電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
 
封裝、價(jià)格及供貨情況

美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體的LM5113采用10引腳4mm × 4mm LLP封裝。采購(gòu)均以1,000顆為單位，單顆售價(jià)為1.65美元。現(xiàn)已可提供樣品，并將于九月份量產(chǎn)。