近日，國星光電推出了SiC模塊及GaN器件新品，并對SiC功率分立器件進行了新升級。

針對充電樁、UPS不間斷電源等工業(yè)類領(lǐng)域，國星光電最新推出的SiC功率模塊產(chǎn)品包括有NS34m、NS62m、NSECO以及NSEAS系列的封裝，拓撲結(jié)構(gòu)涵蓋半橋、全橋、三相橋以及CIB。

模塊規(guī)格覆蓋1200V電壓等級，20A-80A的電流范圍，可依據(jù)市場電路系統(tǒng)的輸入輸出要求和成本等因素的考量，選擇不同拓撲結(jié)構(gòu)的功率模塊，并快速進行應(yīng)用替換。

瞄準快充市場，國星光電最新推出E-mode的 650V/10A GaN-DFN5*6 GaN器件，BVds>650V，Rdson<150mΩ，性能穩(wěn)定達到行業(yè)器件水平；器件可適用市面上100W以下的充電頭的應(yīng)用。

圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫

除了發(fā)布SiC模塊及GaN器件新品，國星光電還對SiC功率分立器件產(chǎn)品進行優(yōu)化升級，完成了TO-247、TO-220、TO-252、TO-263、DFN5*6五種優(yōu)勢封裝結(jié)構(gòu)的開發(fā)。

該產(chǎn)品以TO系列為主，目前已建立主流650V系列與1200V系列SiC MOSFET和SiC SBD兩個產(chǎn)品系列，可應(yīng)用于光伏逆變、工業(yè)電源、新能源汽車、充電樁、軌道交通及智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的電力轉(zhuǎn)換裝置。其中1200V 40A SiC MOSFET，Vth開啟電壓低于2.0V，Rdson開通損耗小于50mΩ。

國星光電表示，為滿足終端應(yīng)用市場的需求，公司全力加碼對第三代半導(dǎo)體的布局，目前已形成以SiC和GaN為主營業(yè)務(wù)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品系列，包括SiC功率分立器件、SiC功率模塊、GaN器件。

其中，SiC模塊及GaN器件新品集生產(chǎn)、測試、可靠性驗證測試一體的實驗線已投入生產(chǎn)運作，可迅速對接客戶個性化的需求；SiC功率分立器件產(chǎn)品已完成了多項可靠性驗證與具體應(yīng)用端實測工況的評估，產(chǎn)線已投入使用，并完成了多個合作商的試產(chǎn)訂單。

此外，國星光電不斷豐富產(chǎn)品線路，計劃于今年推出超薄型SiC內(nèi)絕緣系列分立器件，產(chǎn)品的耐壓能力、散熱能力等將得到進一步的提升，可更好地滿足客戶對器件內(nèi)部絕緣的嚴苛需求。

另一方面，國星光電也將于今年陸續(xù)推出E-mode的650V/15A，Cascode的650V/12A等不同型號的GaN器件產(chǎn)品，為客戶提供定制化技術(shù)解決方案，進一步滿足客戶多樣化的需求。

接下來，國星光電將搶抓“十四五”發(fā)展新機遇，持續(xù)加大第三代半導(dǎo)體的研究開發(fā)和技術(shù)成果轉(zhuǎn)化，努力打造具備高可靠性、高品質(zhì)優(yōu)勢的“三代半功率器件封測企業(yè)”。（來源：國星光電）

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