4月8日，蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱"晶湛半導(dǎo)體"）發(fā)布了其面向Micro LED顯示產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的全彩系列外延片產(chǎn)品-Full Color GaN®，新品外延片尺寸成功拓展至300mm。

據(jù)晶湛半導(dǎo)體介紹，F(xiàn)ull Color GaN®是硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延片，具有更大的晶圓尺寸（200mm-300mm）和更好的表面質(zhì)量，對提升LED芯片良率具有獨(dú)特優(yōu)勢。此外，通過采用200mm/300mm FAB中先進(jìn)的硅基芯片工藝制程，外延片可制備高性能的微型（5µm2）Micro LED像素陣列，并可與Si CMOS驅(qū)動進(jìn)行高良率的混合集成。

通過采用應(yīng)力工程和極化工程等專利技術(shù)，晶湛半導(dǎo)體的Full Color GaN®全彩系列產(chǎn)品成功克服外延生長高效率紅光LED的難題。

晶湛半導(dǎo)體Full Color GaN®全彩系列產(chǎn)品

另外，晶湛半導(dǎo)體指出，波長均勻性是實(shí)現(xiàn)Micro LED顯示的關(guān)鍵因素，而Full Color GaN®全彩系列產(chǎn)品在整個200mm晶圓上具有出色的波長均勻性（圖 3），而且藍(lán)光LED晶圓尺寸最大可以到300mm，并具有優(yōu)異的波長均勻性，全片標(biāo)準(zhǔn)偏差小于2nm（圖4）。

圖3: 晶湛半導(dǎo)體200mm Full Color GaN®全彩系列LED外延片波長分布圖

圖4: 晶湛半導(dǎo)體300mm 硅基氮化鎵藍(lán)光LED外延片波長分布圖

在缺陷密度方面，晶湛半導(dǎo)體則表示，F(xiàn)ull Colar GaN®系列產(chǎn)品的表面缺陷密度可以控制在0.1/c㎡以內(nèi)，即使像素尺寸微縮至2µm x 2µm（陣列：100 x 100），所有像素點(diǎn)依然都可點(diǎn)亮。

(像素尺寸: 50µm, 15µm, 5µm, 2µm)

圖6: 基于Full Color GaN®全彩系列外延片開發(fā)的Micro-LED陣列

晶湛半導(dǎo)體創(chuàng)始人兼總裁程凱博士表示，對于Micro LED的單片集成而言，將RGB三種顏色集成到氮化鎵的單一材料平臺中是非常關(guān)鍵的一步。Full Color GaN®全彩系列外延片將初步滿足業(yè)界對AR/MR系統(tǒng)的要求。300mm硅基氮化鎵外延片將推動GaN光電器件、GaN電子器件與硅器件的異構(gòu)集成的發(fā)展，具有廣闊的應(yīng)用前景。

資料顯示，晶湛半導(dǎo)體成立于2012年3月，擁有先進(jìn)的氮化鎵外延材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地，致力于為電力電子、射頻電子以及微顯示等領(lǐng)域提供高品質(zhì)氮化鎵外延材料解決方案。

除在應(yīng)用于微顯示的外延片取得研發(fā)進(jìn)展外，2021年，在應(yīng)用于功率器件的GaN外延片方面，晶湛半導(dǎo)體成功攻克12英寸(300mm)無裂紋 GaN-on-Si外延技術(shù)，成功覆蓋200V、650V、1200V等不同擊穿電壓應(yīng)用場景需求，厚度不均勻度減小至 0.3%，晶圓翹曲Bow<50μm，為GaN-on-Si外延片導(dǎo)入更加成熟精密的12英寸(300mm) CMOS 工藝線鋪平了道路。

另值得注意的是，今年3月份，晶湛半導(dǎo)體宣布完成B+輪數(shù)億元戰(zhàn)略融資，由歌爾股份控股子公司歌爾微電子領(lǐng)投，高瓴創(chuàng)投、惠友資本、創(chuàng)新工場等企業(yè)加碼跟投。本輪融資資金將主要用于晶湛半導(dǎo)體總部和研發(fā)中心建設(shè)。（來源：晶湛半導(dǎo)體、LEDinside整理）

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