集邦咨詢LED研究中心（LEDinside）最新報告《2018 Micro LED次世代顯示技術(shù)市場報告 - 3Q18 Micro LED轉(zhuǎn)移，驅(qū)動，背板與應用要求》，探討了各種顯示器規(guī)格與巨量轉(zhuǎn)移、驅(qū)動及背板等技術(shù)的相對應關(guān)系。由于顯示器的產(chǎn)品特性與規(guī)格不盡相同，無論是巨量轉(zhuǎn)移、趨動、背板都需要針對不同顯示產(chǎn)品的應用特性去對應。因此針對不同領(lǐng)域的顯示產(chǎn)品，或許將由不同的技術(shù)廠商來主導未來發(fā)展方向。

Micro LED巨量轉(zhuǎn)移發(fā)展趨勢

由于目前各種巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)百花齊放，并且均有不同技術(shù)特性，因此針對不同的顯示產(chǎn)品可能都會有相對適合的解決方案。現(xiàn)階段大致上可以分類為幾項，包括Stamp Pick & Place；Laser Release； Roll to Plate； Fluidic Transfer，wafer bonding。這些轉(zhuǎn)移技術(shù)對應到面板的各種規(guī)格要求均不相同。例如，面板的尺寸大小關(guān)乎到巨量轉(zhuǎn)移的技術(shù)是否適合擴張。PPI的高低，關(guān)乎到巨量轉(zhuǎn)移的精密程度。此外，Resolution（分辨率），關(guān)乎到巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)的生產(chǎn)效率。芯片大小，關(guān)乎到轉(zhuǎn)移技術(shù)對于轉(zhuǎn)移目標的尺寸極限。因此未來針對不同的顯示器產(chǎn)品，可能將會有相對適合的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)來做對應。

Micro LED的背板應用趨勢

線寬線距極限由大至小依序為PCB > FPC > Glass > Si CMOS，因此隨著背板線寬線距極限的不同，而用以搭配顯示器大小而隨之不同。如大尺寸顯示器顯示屏(Digital Display)以及電視，因顯示面積大以至于畫素間距也較大，在背板的選用上會有PCB與Glass的選擇。而在中型尺寸的車用顯示器則不使用線寬線距較大的PCB，而以線寬線距極限略小于PCB 的Glass以及FPC為主。小尺寸的手機與手表以適合中小型顯示需求的玻璃與FPC的背板為主。在微投影與顯示的擴增實境/虛擬實境的背板顯示需求將會微縮至30μm等級以下，因此將會以可微縮線寬線距半導體制程的 Si CMOS 背板為主，并背搭配眼鏡需透光的需求也會有光學式FPC的應用需求。

Micro LED的驅(qū)動應用趨勢

由于顯示技術(shù)不斷的提升， Micro LED驅(qū)動IC具備的特性也有所不同，使用Micro LED驅(qū)動IC的顯示屏在高刷新頻率時灰階表現(xiàn)可達真16-bit，若搭配使用具有HDR亮度提升技術(shù)的Lighthouse控制器，明顯可以看出16-bit畫面的明暗漸層變化較平順，亮處更亮，暗處則更深邃的效果。

Micro LED顯示器因光源顆數(shù)甚多，若能使用整合多通道設計的專用驅(qū)動IC，將能有效節(jié)省PCB布線空間及使用驅(qū)動IC的數(shù)量。

Micro LED在啟動時，其電源驅(qū)動僅需要10nA 即可驅(qū)動，但此低電流下，尚有不穩(wěn)定的低灰階狀態(tài)表現(xiàn)，將會造成Micro LED接受同電流時而產(chǎn)生部份點不亮及微亮狀況發(fā)生，無法達到設計之目標，這是Micro LED的驅(qū)動IC必須克服的重要方向之一。


2018 Micro LED次世代顯示技術(shù)市場報告- 3Q18 Micro LED 轉(zhuǎn)移，驅(qū)動，背板與應用要求

Micro LED的關(guān)鍵技術(shù)分析

♦  Micro LED關(guān)鍵技術(shù)
♦  Micro LED轉(zhuǎn)移專利發(fā)展趨勢
♦  Micro LED背板應用趨勢
♦  Micro LED驅(qū)動應用趨勢

Micro LED轉(zhuǎn)移技術(shù)分析

♦  三大轉(zhuǎn)移技術(shù)分類
♦  Micro LED的薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)分類
♦  拾取放置轉(zhuǎn)移技術(shù)分析
♦  靜電吸附 V.S 磁力吸附
♦  相變化 V.S 凡得瓦力
♦  黏合力與反作用力 V.S 靜電吸附力與反作用力
♦  芯片轉(zhuǎn)移與翻轉(zhuǎn) V.S 固態(tài)轉(zhuǎn)印
♦  流體組裝轉(zhuǎn)移技術(shù)分析
♦  流體分散轉(zhuǎn)印 V.S 流體組裝
♦  雷射轉(zhuǎn)印技術(shù)分析
♦  雷射激光燒蝕 V.S 雷射剝離
♦  激光束多重芯片轉(zhuǎn)移 V.S 多光束轉(zhuǎn)移
♦  滾輪轉(zhuǎn)印技術(shù)分析
♦  滾軸轉(zhuǎn)寫技術(shù) Rohinni V.S KIMM
♦  Micro LED產(chǎn)品應用規(guī)格
♦  Micro LED轉(zhuǎn)移技術(shù)選擇性比較
♦  轉(zhuǎn)移的應用分析 - 顯示屏
♦  轉(zhuǎn)移的應用分析 - 電視
♦  轉(zhuǎn)移的應用分析 - 車用顯示
♦  轉(zhuǎn)移的應用分析 - 手機
♦  轉(zhuǎn)移的應用分析 - 手表
♦  轉(zhuǎn)移的應用分析 -擴增實境/虛擬實境

Micro LED背板技術(shù)分析

♦  背板材料的分類
♦  硬式背板 - 玻璃材質(zhì)運作原理
♦  硬式背板 - 玻璃材質(zhì)材料特性
♦  硬式背板 - 玻璃材質(zhì)材料特性比較
♦  硬式背板 - 印刷電路板
♦  硬式背板 - CMOS on Si
♦  可撓式背板 - 非光學式FPC
♦  可撓式背板 - 光學式FPC

Micro LED的關(guān)鍵技術(shù)

♦  LED驅(qū)動方案 - LED驅(qū)動電源基本介紹
♦  LED驅(qū)動方案 - 為何需要LED Driver IC
♦  LED驅(qū)動方案 - LED的電壓，電流及光通量關(guān)系
♦  LED驅(qū)動方案 - 線性驅(qū)動與開關(guān)型驅(qū)動的比較
♦  LED驅(qū)動方案 - 開關(guān)電源控制技術(shù)分類
♦  LED驅(qū)動方案 - 開關(guān)電源控制PWM技術(shù)對LED色階變化的影響
♦  顯示屏驅(qū)動方案 - 主動式驅(qū)動與被動式驅(qū)動比較
♦  顯示屏驅(qū)動方案 - 掃描方式與畫面更新率
♦  顯示屏驅(qū)動方案 - 小間距顯示屏問題點分析
♦  TFT驅(qū)動方案 - 薄膜晶體管之驅(qū)動架構(gòu)
♦  TFT驅(qū)動方案 - 影響顯示質(zhì)量之干擾因素分析
♦  OLED驅(qū)動方案 - 被動式驅(qū)動 （Passive Matrix / PMOLED）
♦  OLED驅(qū)動方案 - 主動式驅(qū)動 （Active Matrix / AMOLED）
♦  Micro LED驅(qū)動方案 - 被動式驅(qū)動 （Passive Matrix）
♦  Micro LED驅(qū)動方案 - 主動式驅(qū)動（Active Matrix）
♦  Micro LED驅(qū)動方案 - Micro LED驅(qū)動IC具備特性

附錄：Micro LED廠商動態(tài)

♦  Mini / Micro LED廠商動態(tài)-手機、車用顯示、電視、電競筆記型計算機
♦  Mini / Micro LED廠商動態(tài)-顯示屏
♦  Mini / Micro LED廠商布局動態(tài)