據(jù)悉，江蘇省科技攻關項目大功率高亮度LED芯片取得重要進展，首批試制樣品已上線接受1000小時的性能測試。

據(jù)了解，本項目是由揚州大學物理學院承擔的，首批試制樣品已上線接受1000小時的性能測試。這款由中國自主研發(fā)的新光源芯片，將用于替代國外同類產(chǎn)品。據(jù)課題負責人揚州大學物理學院曾祥華教授介紹，由該院光電研究中心10名科研人員組成的研究團隊，與揚州華夏光電聯(lián)合開展校企合作，對國產(chǎn)芯片的結(jié)構(gòu)進行重新設計，著力解決發(fā)熱量大、衰減快等穩(wěn)定性問題，以提高其使用壽命。

芯片是LED的“大腦”，但目前中國LED芯片在壽命、亮度、性價比等方面均弱于進口芯片，從而造成最終產(chǎn)品成本高，難以在一般消費者中普及，且高端產(chǎn)品的芯片需依賴進口。曾祥華表示，目前首批新型芯片樣品已經(jīng)試制成功，并已經(jīng)獲得三項國家專利，經(jīng)過1000小時連續(xù)帶電測試后，研究人員還將對細節(jié)進行改進，新芯片的穩(wěn)定使用壽命約能提高到5萬小時以上。新芯片很可能因由中國自主研發(fā)，將大大縮減LED制造成本，最終可用于替代進口芯片。