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InGaN-on-Si長波LED設備由美國玫瑰街實驗室首次證實

2011-07-14 10:35:22 [編輯：joyijiao]

近日，美國玫瑰街實驗室宣布，首個證實基于硅片可生產(chǎn)長波LED設備，較傳統(tǒng)藍寶石或SiC襯底具有很大的成本優(yōu)勢。與紫外線和藍光LED相比，由于量子效率的下降，制造綠光LED以及長波氮化物基LED極具挑戰(zhàn)性。目前，將由玫瑰街實驗室的姐妹公司FlipChip International LLC (FCI)負責綠光LED和長波LED的封裝。

InGaN-on-Si長波LED具有高強度、低能耗和商業(yè)成本極低的優(yōu)點，預計未來2-3年中該技術可實現(xiàn)在200毫米硅襯底上生產(chǎn)InGaN-on-Si的LED設備，商業(yè)前景廣闊。

此外，玫瑰街實驗室還初步證實了可將光線調(diào)整為多色光和白光光譜。
 
美國玫瑰街實驗室位于亞利桑那州鳳凰城，是一家產(chǎn)品和服務供應商，為私人所有，服務于可再生能源和半導體市場。

姐妹公司FlipChip International LLC (FCI)在封裝半導體功率器件方面具有豐富的經(jīng)驗，其分布于全球的制造廠將為該實驗室提供專屬的LED設備封裝解決方案。

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