憑借高分辨率、高亮度、高可靠性、低功耗等諸多優(yōu)勢(shì)，以及多元的應(yīng)用場(chǎng)景，Micro LED迎來(lái)廣闊的發(fā)展前景，各大企業(yè)加速布局，助推Micro LED商業(yè)化進(jìn)程落地。

繼第一代玻璃基透明被動(dòng)驅(qū)動(dòng)Micro LED顯示模組——nStar Ⅰ之后，近日，國(guó)星光電又推出第二代Micro LED新品——nStar Ⅱ。

據(jù)悉，nStarⅠ是國(guó)星光電在2020年6月推出的第一代Micro LED，采用玻璃基板工藝，全彩顯示，透明度達(dá)60％。

此次推出的第二代Micro LED新品——nStar Ⅱ?yàn)橐豢?.5英寸玻璃基Micro LED全彩顯示屏，像素間距300微米（P0.3），采用TFT驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)了8bit（256灰階）色深的顯示效果。

同時(shí)，基于自主搭建的Micro LED技術(shù)創(chuàng)新研發(fā)平臺(tái)，nStar Ⅱ突破了巨量轉(zhuǎn)移及巨量鍵合雙重技術(shù)難題，其綜合良率提升至99.99%，未來(lái)相關(guān)技術(shù)成果未來(lái)有望在大尺寸拼接智慧屏等高清顯示產(chǎn)品中獲得廣泛應(yīng)用。

Micro LED Display：nStar Ⅱ（圖片來(lái)源：國(guó)星光電）

據(jù)介紹，nStar Ⅱ玻璃基主動(dòng)式驅(qū)動(dòng)Micro LED顯示屏是通過(guò)巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)將Micro LED微型芯片鍵合到玻璃基板上，利用TFT驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)高清畫(huà)面顯示。在向更微型和更高密度LED芯片集成工藝迭代過(guò)程中，可在大面積上獲得超精細(xì)線(xiàn)路結(jié)構(gòu)的TFT玻璃基板是理想的技術(shù)選擇。

此外，主動(dòng)式驅(qū)動(dòng)TFT背板既能實(shí)現(xiàn)Micro LED模組像素獨(dú)立控制，避免驅(qū)動(dòng)像素串?dāng)_，又能在提升模組顯示亮度均勻性的同時(shí)大大降低功耗。

據(jù)悉，近年來(lái)，國(guó)星光電正從產(chǎn)品研發(fā)、技術(shù)專(zhuān)利儲(chǔ)備、生產(chǎn)、企業(yè)合作等全方面入手積極推進(jìn)Micro LED業(yè)務(wù)的發(fā)展。

2018年，國(guó)星光電在國(guó)內(nèi)率先成立Mini & Micro LED研究中心，兩年后年又成立了廣東省半導(dǎo)體微顯示重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，聯(lián)手產(chǎn)業(yè)鏈上中下游各個(gè)環(huán)節(jié)，同推進(jìn)Mini/Micro LED產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。

得益于前瞻性布局，國(guó)星光電于2021年10月成功開(kāi)發(fā)出高一致性像素化量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)換彩膜制備技術(shù)，有效解決Micro LED紅光芯片良率低、光效低、巨量轉(zhuǎn)移難度高的技術(shù)痛點(diǎn)，推動(dòng)高分辨率Micro LED全彩化顯示的研發(fā)。

今年7月，國(guó)星光電推出新型MIP封裝器件方案。據(jù)悉，該方案基于扇出封裝技術(shù)思路，國(guó)星光電通過(guò)自主開(kāi)發(fā)的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)，采用黑化基板與高光提取封裝路線(xiàn)構(gòu)建全新MIP器件，大幅提高器件光電性能。

目前，國(guó)星光電已在巨量轉(zhuǎn)移、共晶鍵合、量子點(diǎn)全彩化、檢測(cè)修復(fù)、高可靠性封裝等Micro LED領(lǐng)域多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)上取得突破，Mini/Micro LED領(lǐng)域已申請(qǐng)發(fā)明專(zhuān)利100余件。

接下來(lái)，國(guó)星光電布局深耕新型微顯示賽道，在玻璃基Micro LED技術(shù)路線(xiàn)方面，將重點(diǎn)布局高端智慧屏、車(chē)載顯示屏和智能手表；在硅基Micro LED技術(shù)路線(xiàn)方面，重點(diǎn)布局AR顯示領(lǐng)域。（ LEDinside整理）

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