LED產(chǎn)品材料簡表,以下是相關(guān)的材料性質(zhì)與內(nèi)容。
原 料 | 物 理 性 質(zhì) | ||||||
發(fā)
光
體 | 襯
底 | 生 產(chǎn) 方 法 | 發(fā) 光 顏 色 | 發(fā)光波長(毫微米)
| 外部量子最大效率(百分比) | 視覺敏感性效率(鎊/鎢) | 軸向光度05mm燈泡( MCD ) |
GaP (Zn, O) Ga0.65Al0.35As Ga0.65Al0.3 5As GaAs0.6P0.4 GaAs0.45P0.55(N) GaAs0.35P0.65(N) | GaP GaAs GaAlAs GaAs GaP GaP | Liquid phase epitaxy Liquid phase epitaxy (SH) Liquid phase epitaxy (DH) Vapor phase epitaxy+diffusion Vapor phase epitaxy+diffusion Vapor phase epitaxy+diffusion | 紅 紅 紅 紅 紅 紅/橙 | 700 660 660 660 650 630 | 2 7 21 0.15 0.5 0.65 | 1 2.1 12 0.07 0.35 1.2 | 30 500 500020 100 300 |
GaAs0.25P0.75(N) GaAs0.15P0.85(N) GaAs0.1P0.9(N) | GaP GaP GaP | Vapor phase epitaxy+diffusion Vapor phase epitaxy+diffusion Vapor phase epitaxy+diffusion | 琥珀 黃 黃 | 610 590 583 | 0.6 0.25 0.2 | 2 1.1 1.1 | 300 200 200 |
GaP(N) GaP(N) GaP | GaP GaP GaP | Liquid phase epitaxy Liquid phase epitaxy Liquid phase epitaxy | 黃 黃/綠 純綠 | 570 560 555 | 0.7 0.3 0.2 | 4.3 1.6 1.36 | 400 250 200 |
GaN SiC ZnSe* ZnS | a-Al2O3 SiC ZnSe ZnS | Liquid phase epitaxy (MIS) Liquid phase epitaxy Liquid phase epitaxy+diffusion MOCVD (MIS) | 藍(lán) 藍(lán) 藍(lán) 藍(lán) | 430 480 480 460 | 0.1 0.04 0.03 0.01 | 0.14 0.04 --- | 10(10mA) 12 2(2mA) 2(10mA) |