近日，溫州理工學院智電學院朱陽斌老師與福州大學、福建師范大學合作，以第一作者身份在Cell子刊《Cell Reports Physical Science》（IF:8.9）發(fā)表重要研究成果。我校為第一完成單位，葉云洋副教授為共同通訊作者。這也是朱陽斌團隊繼Nature子刊《Light : Science & Applications》（IF:20.2）和Nature index期刊《Advanced Materials》（IF:32.0）之后，近兩年發(fā)表的第三篇頂級期刊（總影響因子61.1）。

研究背景及意義

具有感知環(huán)境光學信息能力的近眼顯示(NED)設(shè)備對于沉浸式人-機交互顯示系統(tǒng)至關(guān)重要，例如增強現(xiàn)實(AR)、虛擬現(xiàn)實(VR)和抬頭顯示(HUD)等。提供優(yōu)異圖像質(zhì)量的微顯示器是沉浸式顯示系統(tǒng)最關(guān)鍵的部件，其中微顯示器必須滿足超高亮度、超高分辨率的要求（圖1）。目前主流NED產(chǎn)品多采用液晶顯示或微發(fā)光二極管(Micro-LED)等技術(shù)。但液晶顯示技術(shù)需要LED背光模組照明，且要求入射光線為偏振光(約50%損耗)，不可避免的導致器件亮度、分辨率偏低、體積偏大等缺點。

此外，Micro LED在像素的小型化過程中，也面臨著均勻性、全彩化難度大等系列問題。量子點發(fā)光二極管(QLED)具有寬色域、高亮度、溶液加工和柔性可穿戴等優(yōu)勢，成為高性能NED設(shè)備的理想候選者。然而，QLED在高亮度下發(fā)光效率的滾降行為，嚴重限制了其在NED領(lǐng)域的應用。其主要原因是在高亮度條件下，發(fā)光層中載流子注入不平衡導致的非輻射復合現(xiàn)象加劇，多余的電子反向轉(zhuǎn)移并積聚在空穴輸運層界面處。如何實現(xiàn)QLED器件在超高亮度范圍內(nèi)保持發(fā)光性能的穩(wěn)定性，迄今為止仍然是一個巨大的挑戰(zhàn)。

圖1. 近眼顯示設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)與研究現(xiàn)狀

研究內(nèi)容與亮點

基于上述分析，朱陽斌課題組提出了一種通用的空穴注入增強策略，基于原位摻雜的新型空穴注入層(H5Mo12O41P, PMA)廣泛應用于高性能沉浸式NED系統(tǒng)。據(jù)介紹，本工作的主要創(chuàng)新點是:

1. 通過原位摻雜一定比例的二價錫(Sn2+)，在不影響PMA高功函數(shù)的條件下顯著提高了薄膜的電導率。基于Sn2+元素在PMA材料(Sn:PMA)中摻雜的調(diào)控，QLED器件的外量子效率（EQE）從9.6%顯著提升到19.4%，這是迄今為止報道的以無機材料作為空穴注入層QLED器件的性能最佳值。值得一提的是，新型Sn:PMA功能層不僅具有高效的載流子輸運能力，還擔負著抑制電荷逆向輸運的責任。所制備的QLED器件在亮度為40158 cd/m2時達到EQE最大值，并在相當大的亮度范圍內(nèi)(3461 cd/m2 ~ 118327 cd/m2)，EQE始終保持在17%以上，與高性能NED系統(tǒng)高度兼容(表1)。

表1. 本工作與現(xiàn)有文獻報道先進器件的性能比較

2. Sn:PMA的設(shè)計同樣被證明廣泛適用于各種新型顯示器件，其中有機發(fā)光二極管OLED和鈣鈦礦發(fā)光二極管Per-LED器件的最大EQE分別達到17.3%和11.5%，器件使用壽命也有大幅度提升。除了具有優(yōu)越的光電性能外，Sn:PMA的制備成本約為傳統(tǒng)空穴注入層PEDOT:PSS價格的9.7%，并且無需等離子體處理即可直接制備。與PEDOT:PSS和NiO等傳統(tǒng)功能層相比，Sn:PMA在利潤回報、穩(wěn)定性、可制造性以及可擴展性方面都具有獨特的優(yōu)勢?？偟膩碚f，這項工作將朝著低成本、高亮度和高性能NED設(shè)備的最終商業(yè)化邁出一大步(圖2)。

 圖2.新型發(fā)光器件—廣泛應用于高性能近眼顯示系統(tǒng)

來源：溫州理工學院智電學院

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